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| 数据手册 | 2N7002DW-TP 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 115mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 3.75Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW |
库存：58,451
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.3796
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.3796 | ￥1.8980 |
| 50+ | ￥0.2841 | ￥14.2050 |
| 150+ | ￥0.2666 | ￥39.9900 |
| 500+ | ￥0.2491 | ￥124.5500 |
| 2,500+ | ￥0.2413 | ￥603.2500 |
| 5,000+ | ￥0.2374 | ￥1,187.0000 |
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