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SE8831A

N沟道,20V

制造商:
SINO-IC(光宇睿芯)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 SE8831A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6.1A
栅源极阈值电压 1V @ 250uA
漏源导通电阻 19.5mΩ @ 6.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 700mW

库存:52,306

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.2237
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥0.2237 ¥2.2370
100+ ¥0.1652 ¥16.5200
300+ ¥0.1545 ¥46.3500
1,000+ ¥0.1437 ¥143.7000
5,000+ ¥0.1390 ¥695.0000
10,000+ ¥0.1366 ¥1,366.0000

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