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PNM523T201E0

N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V

制造商:
Prisemi 芯导
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 PNM523T201E0 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) ±1A(Tj=150°C)
栅源极阈值电压 1.1V @ 1mA
漏源导通电阻 250mΩ @ 650 mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 140mW

库存:57,939

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.1364
数量 单价(含税) 总计
20+ ¥0.1364 ¥2.7280
200+ ¥0.1015 ¥20.3000
600+ ¥0.0951 ¥57.0600
2,000+ ¥0.0887 ¥177.4000
10,000+ ¥0.0859 ¥859.0000
20,000+ ¥0.0845 ¥1,690.0000

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