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SE60P20B

P沟道 -60V -20A

制造商:
SINO-IC(光宇睿芯)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 SE60P20B 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 33mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 170W

库存:56,465

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.2705
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.2705 ¥1.2705
10+ ¥0.9564 ¥9.5640
30+ ¥0.8986 ¥26.9580
100+ ¥0.8409 ¥84.0900
500+ ¥0.8153 ¥407.6500
1,000+ ¥0.8026 ¥802.6000

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