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| 数据手册 | SVD501DEAGTR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30mA(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 8uA |
| 漏源导通电阻 | 700Ω @ 3mA,0V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 800mW(Tc) |
库存：50,633
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.2444
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.2444 | ￥2.4440 |
| 100+ | ￥0.1821 | ￥18.2100 |
| 300+ | ￥0.1706 | ￥51.1800 |
| 1,000+ | ￥0.1591 | ￥159.1000 |
| 5,000+ | ￥0.1541 | ￥770.5000 |
| 10,000+ | ￥0.1515 | ￥1,515.0000 |
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