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KIA50N03BD

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA50N03BD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 9.9mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 60W(Tc)

库存:58,644

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.3733
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.3733 ¥1.8665
50+ ¥0.2759 ¥13.7950
150+ ¥0.2579 ¥38.6850
500+ ¥0.2400 ¥120.0000
2,500+ ¥0.2321 ¥580.2500
5,000+ ¥0.2282 ¥1,141.0000

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