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CEH2609

P沟道,20V,2.5A,100mΩ@4.5V

制造商:
CET(华瑞)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CEH2609 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道和P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3.5A,2.5A
栅源极阈值电压 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻 60mΩ @ 3.5A,4.5V;100mΩ @ 2.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.14W

库存:51,217

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.4107
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.4107 ¥2.0535
50+ ¥0.2983 ¥14.9150
150+ ¥0.2776 ¥41.6400
500+ ¥0.2570 ¥128.5000
2,500+ ¥0.2478 ¥619.5000
5,000+ ¥0.2433 ¥1,216.5000

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