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| 数据手册 | RU8205G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 5A,2.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W |
库存：58,360
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.2645
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.2645 | ￥2.6450 |
| 100+ | ￥0.1980 | ￥19.8000 |
| 300+ | ￥0.1858 | ￥55.7400 |
| 1,000+ | ￥0.1736 | ￥173.6000 |
| 5,000+ | ￥0.1682 | ￥841.0000 |
| 10,000+ | ￥0.1655 | ￥1,655.0000 |
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