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KIA6035AD

N沟道,350V,11A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA6035AD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 350V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 480mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 99W(Tc)

库存:53,580

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.3748
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.3748 ¥1.3748
10+ ¥1.0479 ¥10.4790
30+ ¥0.9878 ¥29.6340
100+ ¥0.9278 ¥92.7800
500+ ¥0.9011 ¥450.5500
1,000+ ¥0.8880 ¥888.0000

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