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文档与媒体
| 数据手册 | PJV1702_R1_00001 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 650mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 380mΩ @ 650mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW |
库存：53,942
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.1700
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.1700 | ￥1.7000 |
| 100+ | ￥0.1243 | ￥12.4300 |
| 300+ | ￥0.1160 | ￥34.8000 |
| 1,000+ | ￥0.1076 | ￥107.6000 |
| 5,000+ | ￥0.1038 | ￥519.0000 |
| 10,000+ | ￥0.1020 | ￥1,020.0000 |
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