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KND3306B

N沟道,60V,80A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KND3306B 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 8.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 84.5W(Tc)

库存:53,269

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.2366
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.2366 ¥1.2366
10+ ¥0.9248 ¥9.2480
30+ ¥0.8674 ¥26.0220
100+ ¥0.8102 ¥81.0200
500+ ¥0.7847 ¥392.3500
1,000+ ¥0.7721 ¥772.1000

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