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KND4365A

N沟道,650V,4A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KND4365A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 55W(Tc)

库存:57,873

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.7816
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.7816 ¥0.7816
10+ ¥0.5867 ¥5.8670
30+ ¥0.5509 ¥16.5270
100+ ¥0.5151 ¥51.5100
500+ ¥0.4992 ¥249.6000
1,000+ ¥0.4914 ¥491.4000

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