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| 数据手册 | 2N7002DW_R1_00001 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 115mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW |
库存：53,076
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.1595
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.1595 | ￥1.5950 |
| 100+ | ￥0.1174 | ￥11.7400 |
| 300+ | ￥0.1097 | ￥32.9100 |
| 1,000+ | ￥0.1020 | ￥102.0000 |
| 5,000+ | ￥0.0986 | ￥493.0000 |
| 10,000+ | ￥0.0969 | ￥969.0000 |
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