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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | 双N沟道(共漏) |
漏源电压(Vdss) | 18V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 15A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 3A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3W |
库存:50,473
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.0994
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.0994 | ¥1.0994 |
10+ | ¥0.8032 | ¥8.0320 |
30+ | ¥0.7487 | ¥22.4610 |
100+ | ¥0.6944 | ¥69.4400 |
500+ | ¥0.6701 | ¥335.0500 |
1,000+ | ¥0.6582 | ¥658.2000 |
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