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| 数据手册 | 2N7002ED 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 340mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA |
| 漏源导通电阻 | 5.3Ω @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW |
库存：56,554
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.2474
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.2474 | ￥2.4740 |
| 100+ | ￥0.1828 | ￥18.2800 |
| 300+ | ￥0.1709 | ￥51.2700 |
| 1,000+ | ￥0.1591 | ￥159.1000 |
| 5,000+ | ￥0.1538 | ￥769.0000 |
| 10,000+ | ￥0.1512 | ￥1,512.0000 |
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