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VB1240

N沟道,20V,6A,31.8mΩ@4.5V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VB1240 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
栅源极阈值电压 1V @ 250uA
漏源导通电阻 31.8mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.1W(Tc)

库存:52,390

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.4263
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.4263 ¥2.1315
50+ ¥0.3149 ¥15.7450
150+ ¥0.2944 ¥44.1600
500+ ¥0.2739 ¥136.9500
2,500+ ¥0.2648 ¥662.0000
5,000+ ¥0.2603 ¥1,301.5000

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