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| 数据手册 | PNMT8N1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 1mA |
| 漏源导通电阻 | 500mΩ @ 300mA,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW |
库存：51,757
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.3694
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.3694 | ￥1.8470 |
| 50+ | ￥0.2719 | ￥13.5950 |
| 150+ | ￥0.2540 | ￥38.1000 |
| 500+ | ￥0.2361 | ￥118.0500 |
| 2,500+ | ￥0.2282 | ￥570.5000 |
| 5,000+ | ￥0.2243 | ￥1,121.5000 |
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