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| 数据手册 | PJT7800_R1_00001 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW |
库存：58,912
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.5661
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.5661 | ￥2.8305 |
| 50+ | ￥0.4242 | ￥21.2100 |
| 150+ | ￥0.3982 | ￥59.7300 |
| 500+ | ￥0.3721 | ￥186.0500 |
| 2,500+ | ￥0.3605 | ￥901.2500 |
| 5,000+ | ￥0.3548 | ￥1,774.0000 |
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