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VBK1270

N沟道,20V,4A,45mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBK1270 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A
栅源极阈值电压 1.3V @ 250uA
漏源导通电阻 60mΩ @ 1.5A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.8W

库存:52,185

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.5055
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.5055 ¥2.5275
50+ ¥0.3734 ¥18.6700
150+ ¥0.3491 ¥52.3650
500+ ¥0.3248 ¥162.4000
2,500+ ¥0.3140 ¥785.0000
5,000+ ¥0.3087 ¥1,543.5000

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