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| 数据手册 | LP3218DT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -12V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.2A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 7A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W |
库存：52,012
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.4232
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.4232 | ￥2.1160 |
| 50+ | ￥0.3141 | ￥15.7050 |
| 150+ | ￥0.2940 | ￥44.1000 |
| 500+ | ￥0.2740 | ￥137.0000 |
| 2,500+ | ￥0.2650 | ￥662.5000 |
| 5,000+ | ￥0.2606 | ￥1,303.0000 |
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