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CS2N60A4H

N沟道,600V,2A,3.6Ω@10V

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS2N60A4H 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 35W(Tc)

库存:56,728

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.7264
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.7264 ¥0.7264
10+ ¥0.5471 ¥5.4710
30+ ¥0.5141 ¥15.4230
100+ ¥0.4812 ¥48.1200
500+ ¥0.4665 ¥233.2500
1,000+ ¥0.4593 ¥459.3000

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