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| 数据手册 | MTDP2004S6R 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 500mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 900mΩ @ 430mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW |
库存：53,614
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.6021
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥0.6021 | ￥0.6021 |
| 10+ | ￥0.4438 | ￥4.4380 |
| 30+ | ￥0.4147 | ￥12.4410 |
| 100+ | ￥0.3857 | ￥38.5700 |
| 500+ | ￥0.3728 | ￥186.4000 |
| 1,000+ | ￥0.3664 | ￥366.4000 |
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