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| 数据手册 | L2SK801LT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 310mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 2.5Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW |
库存：55,090
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.1153
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥0.1153 | ￥2.3060 |
| 200+ | ￥0.0864 | ￥17.2800 |
| 600+ | ￥0.0811 | ￥48.6600 |
| 2,000+ | ￥0.0758 | ￥151.6000 |
| 10,000+ | ￥0.0734 | ￥734.0000 |
| 20,000+ | ￥0.0723 | ￥1,446.0000 |
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