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HY1908D
N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610
- 制造商：
- HUAYI(华羿微)
- 产品类别
- MOS(场效应管)
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | HY1908D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 90A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 9mΩ @ 45A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 64W |
库存：59,777
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.3620
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.3620 | ￥1.3620 |
| 10+ | ￥1.0112 | ￥10.1120 |
| 30+ | ￥0.9468 | ￥28.4040 |
| 100+ | ￥0.8823 | ￥88.2300 |
| 500+ | ￥0.8536 | ￥426.8000 |
| 1,000+ | ￥0.8395 | ￥839.5000 |
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