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TSM650P03CX RFG

制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSM650P03CX RFG 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc)
栅源极阈值电压 900mV @ 250uA
漏源导通电阻 65mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.56W(Tc)

库存:57,550

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.5439
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.5439 ¥2.7195
50+ ¥0.3978 ¥19.8900
150+ ¥0.3710 ¥55.6500
500+ ¥0.3442 ¥172.1000
2,500+ ¥0.3322 ¥830.5000
5,000+ ¥0.3264 ¥1,632.0000

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