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数据手册 | CEH2288 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | 双N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 5.2A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 26mΩ @ 4.5A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.14W |
库存:55,086
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.4269
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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5+ | ¥0.4269 | ¥2.1345 |
50+ | ¥0.3099 | ¥15.4950 |
150+ | ¥0.2884 | ¥43.2600 |
500+ | ¥0.2669 | ¥133.4500 |
2,500+ | ¥0.2574 | ¥643.5000 |
5,000+ | ¥0.2527 | ¥1,263.5000 |
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