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VBTA1220N

N沟道,20V,1A,200mΩ@4.5V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBTA1220N 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 850mA
栅源极阈值电压 1V @ 250uA
漏源导通电阻 390mΩ @ 500mA,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 500mW

库存:58,213

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.4472
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.4472 ¥2.2360
50+ ¥0.3261 ¥16.3050
150+ ¥0.3038 ¥45.5700
500+ ¥0.2816 ¥140.8000
2,500+ ¥0.2717 ¥679.2500
5,000+ ¥0.2668 ¥1,334.0000

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