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KIA30N06BD

环保

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA30N06BD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 25A
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 30mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 34.7W

库存:51,289

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.8381
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.8381 ¥0.8381
10+ ¥0.6315 ¥6.3150
30+ ¥0.5935 ¥17.8050
100+ ¥0.5556 ¥55.5600
500+ ¥0.5387 ¥269.3500
1,000+ ¥0.5304 ¥530.4000

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