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PDN2311S

P沟道,-20V,-4.7A

制造商:
Potens(博盛半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 PDN2311S 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4.7A(Tc)
栅源极阈值电压 800mV @ 250uA
漏源导通电阻 50mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.56W(Tc)

库存:58,720

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.2956
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.2956 ¥1.4780
50+ ¥0.2175 ¥10.8750
150+ ¥0.2032 ¥30.4800
500+ ¥0.1888 ¥94.4000
2,500+ ¥0.1825 ¥456.2500
5,000+ ¥0.1793 ¥896.5000

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