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| 数据手册 | WPT2N32-6/TR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 800mA |
| 栅源极阈值电压 | 860mV @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 550mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W |
库存：53,382
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.4500
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.4500 | ￥2.2500 |
| 50+ | ￥0.3370 | ￥16.8500 |
| 150+ | ￥0.3162 | ￥47.4300 |
| 500+ | ￥0.2955 | ￥147.7500 |
| 2,500+ | ￥0.2862 | ￥715.5000 |
| 5,000+ | ￥0.2817 | ￥1,408.5000 |
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