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数据手册 | 2N60L-TM3-T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 5Ω @ 1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 44W |
库存:52,940
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.6965
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥0.6965 | ¥0.6965 |
10+ | ¥0.5210 | ¥5.2100 |
30+ | ¥0.4888 | ¥14.6640 |
100+ | ¥0.4566 | ¥45.6600 |
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