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| 数据手册 | TDM3534 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 20W(Tc) |
库存：56,164
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.2838
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.2838 | ￥1.2838 |
| 10+ | ￥0.9642 | ￥9.6420 |
| 30+ | ￥0.9054 | ￥27.1620 |
| 100+ | ￥0.8467 | ￥84.6700 |
| 500+ | ￥0.8206 | ￥410.3000 |
| 1,000+ | ￥0.8078 | ￥807.8000 |
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