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TSF18N50MR

N沟道,500V,18A,0.32Ω

制造商:
Truesemi(信安)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSF18N50MR 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 320mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 38.5W(Tc)

库存:53,580

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.0186
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.0186 ¥3.0186
10+ ¥2.2230 ¥22.2300
30+ ¥2.0826 ¥62.4780
100+ ¥1.9344 ¥193.4400
500+ ¥1.8720 ¥936.0000
1,000+ ¥1.8408 ¥1,840.8000

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