图像仅供参考 请参阅产品规格

TSF10N60M

N沟道,600V,10A,0.8Ω

制造商:
Truesemi(信安)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSF10N60M 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10A(Tc)
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
漏源导通电阻 800mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 52W(Tc)

库存:57,188

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.9968
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.9968 ¥1.9968
10+ ¥1.4898 ¥14.8980
30+ ¥1.3962 ¥41.8860
100+ ¥1.3026 ¥130.2600
500+ ¥1.2636 ¥631.8000
1,000+ ¥1.2402 ¥1,240.2000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯