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2N7002T

N沟道,60V,115mA

制造商:
德昌
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 2N7002T 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 115mA
栅源极阈值电压 1V @ 250uA(最小)
漏源导通电阻 7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 150mW

库存:52,858

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.1108
数量 单价(含税) 总计
20+ ¥0.1108 ¥2.2160
200+ ¥0.0827 ¥16.5400
600+ ¥0.0776 ¥46.5600
2,000+ ¥0.0724 ¥144.8000
10,000+ ¥0.0701 ¥701.0000
20,000+ ¥0.0690 ¥1,380.0000

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