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LND18N50

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LND18N50 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 280mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 54W(Tc)

库存:56,387

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.4164
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.4164 ¥3.4164
10+ ¥2.5038 ¥25.0380
30+ ¥2.3400 ¥70.2000
100+ ¥2.1684 ¥216.8400
500+ ¥2.0982 ¥1,049.1000
1,000+ ¥2.0592 ¥2,059.2000

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