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CS4N65A3HD

N沟道 650V 4A

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS4N65A3HD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 75W(Tc)

库存:55,818

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.0330
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.0330 ¥1.0330
10+ ¥0.7640 ¥7.6400
30+ ¥0.7146 ¥21.4380
100+ ¥0.6652 ¥66.5200
500+ ¥0.6433 ¥321.6500
1,000+ ¥0.6324 ¥632.4000

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