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KIA4N65HD

环保

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA4N65HD 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 3Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 58W

库存:52,350

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.0165
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.0165 ¥1.0165
10+ ¥0.7592 ¥7.5920
30+ ¥0.7119 ¥21.3570
100+ ¥0.6646 ¥66.4600
500+ ¥0.6437 ¥321.8500
1,000+ ¥0.6333 ¥633.3000

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