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VBE1695

N沟道,60V,16A,95mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBE1695 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 16.9A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 83mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 41.7W

库存:59,272

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.2581
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.2581 ¥1.2581
10+ ¥0.9397 ¥9.3970
30+ ¥0.8812 ¥26.4360
100+ ¥0.8227 ¥82.2700
500+ ¥0.7966 ¥398.3000
1,000+ ¥0.7838 ¥783.8000

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