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| 数据手册 | 1N65G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 11Ω @ 500mA,10V |
库存：58,297
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.4050
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.4050 | ￥2.0250 |
| 50+ | ￥0.2991 | ￥14.9550 |
| 150+ | ￥0.2797 | ￥41.9550 |
| 500+ | ￥0.2602 | ￥130.1000 |
| 2,500+ | ￥0.2516 | ￥629.0000 |
| 5,000+ | ￥0.2473 | ￥1,236.5000 |
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