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数据手册 | LP2305DSLT1G 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | P沟道 |
漏源电压(Vdss) | -12V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A |
栅源极阈值电压 | 800mV @ 250uA |
漏源导通电阻 | 68mΩ @ 3.5A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.1W |
库存:56,460
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.1768
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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10+ | ¥0.1768 | ¥1.7680 |
100+ | ¥0.1327 | ¥13.2700 |
300+ | ¥0.1246 | ¥37.3800 |
1,000+ | ¥0.1165 | ¥116.5000 |
5,000+ | ¥0.1128 | ¥564.0000 |
10,000+ | ¥0.1111 | ¥1,111.0000 |
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