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VB3222

N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道
漏源电压(Vdss) -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4.8A(Tc)
栅源极阈值电压 2.2V @ 250uA
漏源导通电阻 22mΩ @ 3.4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 1.4W(Tc)

库存:55,338

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.7777
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.7777 ¥0.7777
10+ ¥0.5586 ¥5.5860
30+ ¥0.5184 ¥15.5520
100+ ¥0.4781 ¥47.8100
500+ ¥0.4603 ¥230.1500
1,000+ ¥0.4514 ¥451.4000

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