图像仅供参考 请参阅产品规格

TSF7N65M

N沟道,650V,7A,1.6Ω

制造商:
Truesemi(信安)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSF7N65M 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
漏源导通电阻 1.6Ω @ 3.75A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 48W(Tc)

库存:50,702

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.4017
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.4017 ¥1.4017
10+ ¥1.0470 ¥10.4700
30+ ¥0.9818 ¥29.4540
100+ ¥0.9167 ¥91.6700
500+ ¥0.8877 ¥443.8500
1,000+ ¥0.8734 ¥873.4000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯