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VBI1322

N沟道,30V,6.8A,33mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBI1322 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6.8A
栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻 45mΩ @ 4.5A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 6.3W

库存:51,860

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.7125
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.7125 ¥0.7125
10+ ¥0.5322 ¥5.3220
30+ ¥0.4990 ¥14.9700
100+ ¥0.4659 ¥46.5900
500+ ¥0.4512 ¥225.6000
1,000+ ¥0.4439 ¥443.9000

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