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| 数据手册 | NCE65T1K2I 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 1.1Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 41W |
库存：59,384
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.3340
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.3340 | ￥1.3340 |
| 10+ | ￥1.0103 | ￥10.1030 |
| 30+ | ￥0.9509 | ￥28.5270 |
| 100+ | ￥0.8915 | ￥89.1500 |
| 500+ | ￥0.8651 | ￥432.5500 |
| 1,000+ | ￥0.8521 | ￥852.1000 |
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