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KND6610A

环保

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KND6610A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 12A
栅源极阈值电压 2.55V @ 250uA
漏源导通电阻 110mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 34.7W

库存:57,385

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.5932
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.5932 ¥2.9660
50+ ¥0.4450 ¥22.2500
150+ ¥0.4177 ¥62.6550
500+ ¥0.3905 ¥195.2500
2,500+ ¥0.3784 ¥946.0000
5,000+ ¥0.3724 ¥1,862.0000

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