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CS2N65FA9

N沟道,650V,2A,3.9Ω@10V

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS2N65FA9 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 27W(Tc)

库存:58,971

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.9582
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.9582 ¥0.9582
10+ ¥0.7087 ¥7.0870
30+ ¥0.6628 ¥19.8840
100+ ¥0.6171 ¥61.7100
500+ ¥0.5967 ¥298.3500
1,000+ ¥0.5866 ¥586.6000

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