图像仅供参考 请参阅产品规格

VBE1206

N沟道,20V,45A,6mΩ@4.5V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBE1206 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 65A
栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻 8mΩ @ 20A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 71W

库存:53,910

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.8486
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.8486 ¥1.8486
10+ ¥1.3650 ¥13.6500
30+ ¥1.2714 ¥38.1420
100+ ¥1.1856 ¥118.5600
500+ ¥1.1466 ¥573.3000
1,000+ ¥1.1232 ¥1,123.2000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯