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| 数据手册 | TMA10N65H 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 800mΩ @ 5A, 10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 65W(Tc) |
库存：52,446
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.3868
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.3868 | ￥2.3868 |
| 10+ | ￥1.7862 | ￥17.8620 |
| 30+ | ￥1.6770 | ￥50.3100 |
| 100+ | ￥1.5600 | ￥156.0000 |
| 500+ | ￥1.5132 | ￥756.6000 |
| 1,000+ | ￥1.4898 | ￥1,489.8000 |
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