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VBZE50P03

P沟道,-30V,-50A,13mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBZE50P03 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 16mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 127W

库存:58,602

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.4027
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.4027 ¥1.4027
10+ ¥1.0476 ¥10.4760
30+ ¥0.9824 ¥29.4720
100+ ¥0.9172 ¥91.7200
500+ ¥0.8882 ¥444.1000
1,000+ ¥0.8739 ¥873.9000

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